半导体衬底抛光工艺---磷化铟InP抛光液

无锡吉致电子科技有限公司

发布时间：2024-03-13 11:33:37

抛光是晶片表面加工的最后一道工序，目的是降低表面粗糙度，获得无损伤的平坦化表面。对于磷化铟INP材料，目前主要采用 CMP化学机械平面研磨工艺来进行抛光。使用吉致电子磷化铟抛光液，可达到理想的表面粗糙度。

磷化铟INP作为半导体衬底，需要经过单晶生长、切片、外圆倒角、研磨、抛光及清洗等工艺过程。由于磷化铟硬度小、质地软脆，在锯切及研磨加工工艺中，晶片表面容易产生表面/亚表面损伤层，需要通过最终的CMP抛光工艺去除表面/亚表面损伤、减少位错密度并降低表面粗糙度。

吉致电子磷化铟抛光液采用氧化铝作为磨料，由于氧化铝本身的莫氏硬度要大于二氧化硅，所以也要采用化学作用较强的氧化剂与之匹配。在清洗方面氧化铝抛光液不同于硅溶胶，不会在芯片表面有一层吸附层，所以在最后芯片的清洗方面有着明显的优势。

吉致电子半导体抛光液针对不同晶圆配制专业CMP抛光液：铌酸锂抛光液、磷化铟抛光液、砷化镓抛光液、碳化硅SiC抛光液等，免费咨询17706168670申领样品。

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