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 吉致电子碳化硅SiC抛光液的作用

发布时间:2024-03-13 11:35:38

抛光液是CMP的关键耗材之一,抛光液中的氧化剂与碳化硅SiC单晶衬底表面发生化学反应,生成薄且剪切强度很低的化学反应膜,反应膜(软质层)在磨粒的机械作用下被去除,露出新的表面,接着又继续生成新的反应膜,CMP工艺周而复始的进行磨抛,达到表面平坦效果。

通过研磨工艺使用微小粒径的金刚石研磨液,对SiC晶片进行机械抛光加工后,可大幅度改善晶圆表面平坦度。但加工表面存在很多划痕,且有较深的残留应力层和机械损伤层。为进一步提高碳化硅晶圆表面质量,改善粗糙度及平整度,,超精密抛光是SiC表面加工工序中非常关键的一个环节。其中化学机械抛光(CMP)技术是目前实现SiC晶片全局平坦化最有效的方法。CMP是通过化学腐蚀和机械磨损协同作用,实现工件表面材料去除及平坦化的过程。

吉致电子碳化硅抛光液的质量对抛光速率及抛光质量有着重要作用,抛光液特点是:

①流动性好,易循环,低残留、易清洗;

②悬浮性能好,不宜沉淀和结块;

③去除率高,不产生表面损伤;

抛光液通过粗抛、精抛工艺可使SiC表面质量特征参数符合后序加工中的精度要求。

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